“几年前，我就讲过，量子比特有很多类型，比如基于超导量子比特的超导量子芯片，基于硅量子点的自旋超导比特的硅自旋量子芯片，还有就是基于光子量子比特的光量子芯片，在这几个类型项目当中，超导量子芯片与自旋量子芯片都是我们有足够技术底蕴去研发的项目。

硅自旋量子比特，也就是用硅材料制造的量子芯片。

抛开数量和规模，我们可以将每个量子比特的本质看做一个芯片内部的微小电子晶体管，很自然，我们就能够使用与标准互补金属氧化物半导体逻辑处理线中使用的流程类似的流程来制造它、控制它。

前两年，英特尔的硅自旋量子比特器件才突破到12量子比特，我们现在就已经做到了1000，这说明这条路，我们身后的追赶者，其实也在触摸门槛。

只不过英特尔的技术研发困境，只是我们研发路上的小石头，很快就被跨越了而已，就像这一次的万级量子比特。

以前我们研发出了稳态微聚束ss1b光源和栅极特殊接触处理技术，从而使得得到了极高的芯片良品率和性能稳定性。

那么现在，我们怎么就不能研发更优秀的光源和芯片工艺，去革新半导体技术，从而提升量子芯片的规模和性能呢？

国外ib的野心也很大，它甚至敢将摩尔定律拿过来制定超导量子芯片的发展路线图，说每个量子芯片集成的量子比特数目以每年翻倍的速度增加。

一个拥有12英寸晶圆研发制造线和euv光刻机的企业，就敢有如此大的野心。我们九州科技拥有18英寸晶圆的完整技术，还有比euv光刻机更强的ss1b光刻机都无法完成破万。

你们认为，英特尔、ib拥有我们的技术规格，他们能够实现破万的技术门槛吗？”

李由低下了头，目露思索。

他听出来了，面对技术问题，自家顾总给出了两个解决方案。

一是最有效，也最难的方案——技术升级，将ss1b光源提升到ss2b光源或者是换成其他更优秀的光源。同时将晶圆纯度再提升下去，以及制造工艺、设计逻辑都进行升级。

只要全产业链的技术都升级了，那么这个问题也自然不攻而破。

而第二个方案就有些“简单”了。

向英特尔、ib这些西方半导体公司学习，在现有的技术里面，尽可能的发挥每一个工艺的优点。将范围内的事情做到极致，以求突破这个万级量子芯片的限制。

李由能够走到如今的地位，自然不是那种愿意接受简单方案的弱者。

“现有的技术工艺，再怎么进行优化，也不可能有质的改变。当初您领导我们集体研发ss1b光源的时候，就曾说过，这是打开了一扇新的技术领域大门。

或许千级量子芯片就是它的限制，但的确是让我们成功走进了量子芯片领域。

只不过对于光源的升级，我们的光学专家，目前还没有找到方向，等待光源升级，还需要时间。”